BLF6G38-10 /T3 datasheet
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>> BLF6G38-10 /T3 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
BLF6G38-10 /T3
库存数量:
可订货
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
BLF6G38-10 /T3 PDF下载
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶体管极性
N-Channel
频率
增益
输出功率
汲极/源极击穿电压
65 V
漏极连续电流
3.1 A
闸/源击穿电压
13 V
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
CDFM
封装
Reel - 13 in
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供应商
公司名
电话
深圳市司马科技有限公司
13533399478
陈义
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
0755-23603360
杨先生
标准国际(香港)有限公司
0755-88607458
朱小姐
深圳市佳鑫特电子有限公司
13410505652
陈
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